インプラントに関する2008年08月20日13時35分のニュースページです。
IBM、22ナノメートルプロセスによるSRAMセルを発表毎日新聞 Japan -21hoursagoIBMによると、新セルの開発ではバンド端の高誘電率（High-k）メタルゲートスタック、ゲート長が25ナノメートルを切るトランジスタ、薄いスペーサー、新しいコインプラント、先端的アクティベーション技術、極薄のシリサイド、ダマシン銅接続といった技術要素が用い (2008年08月20日13時35分のニュース)
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